Influence of substrate temperature on the microstructure of TiN/TiC
Fecha
2011-12-01
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Editor
Universidad EAFIT
Resumen
Descripción
The TiN / TiC bilayers were deposited using the plasma-assisted vapor phase deposition (PAPVD) -Arch Pulsed technique, varying the substrate temperature in a range of 100-120 ± C, with intervals of 5 ± C. The coatings were analyzed by means of XPS and XRD. From the treatment of the signals of the narrow spectra of XPS and the XRD patterns, the formation of the compounds TiN (Titanium Nitride), TiC (Titanium Carbide) and TiCN (titanium carbide) in the crystallographic phase was determined fm-3m corresponding to the FCC phases of these synthesized compounds.
Las bicapas de TiN/TiC se depositaron utilizando la técnica de deposición en fase vapor asistido por plasma (PAPVD)-Arco Pulsado, variando la temperatura del sustrato en un rango de 100-120±C, con intervalos de 5±C. Los recubrimientos se analizaron por medio de XPS y XRD. A partir del tratamiento de las señales de los espectros angostos de XPS y los patrones de XRD, se determino la formación de los compuestos TiN (Nitruro de Titanio), TiC (Carburo de Titanio) y TiCN (carbonitruro de titanio) en la fase cristalográfica fm-3m correspondiente a las fases FCC de estos compuestos sintetizados.
Las bicapas de TiN/TiC se depositaron utilizando la técnica de deposición en fase vapor asistido por plasma (PAPVD)-Arco Pulsado, variando la temperatura del sustrato en un rango de 100-120±C, con intervalos de 5±C. Los recubrimientos se analizaron por medio de XPS y XRD. A partir del tratamiento de las señales de los espectros angostos de XPS y los patrones de XRD, se determino la formación de los compuestos TiN (Nitruro de Titanio), TiC (Carburo de Titanio) y TiCN (carbonitruro de titanio) en la fase cristalográfica fm-3m correspondiente a las fases FCC de estos compuestos sintetizados.